Datasheet 2MBI100S-120 - Fuji Electric Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 100 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 100 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Fuji Semiconductor, Inc.

- P.O. Box 702708 - Dallas, TX - (972) 733-1700 - www.fujisemiconductor.com


Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 100 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Power Dissipation Max: 690 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• External Depth: 62 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 108 мм
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M234
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Вес: 0.4kg
• Current Ic @ Vce Sat: 75 А
• Current Ic Continuous a Max: 100 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 300 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation Voltage: 2.5kV
• Power Dissipation: 780 Вт
• Power Dissipation Pd: 780 Вт
• Pulsed Current Icm: 300 А
• Rise Time: 600 нс
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI100S120, 2MBI100S 120