Datasheet BSM200GB120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит

Infineon BSM200GB120DN2

Наименование модели: BSM200GB120DN2

Купить BSM200GB120DN2 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 414 до 32 622 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
ChipWorker Весь мир	BSM200GB120DN2HOSA1 Infineon	20 414 ₽
AiPCBA Весь мир	BSM200GB120DN2HOSA1 Infineon	20 414 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	BSM200GB120DN2B	по запросу
Akcel Весь мир	BSM200GB120DN2B Infineon	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSM 200 GB 120 DN2
IGBT Power Module
· Half-bridge · Including fast free-wheeling diodes · Package with insulated metal base plate
Type BSM 200 GB 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C
VCE

Спецификации:

DC Collector Current: 290 А
Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
Power Dissipation Max: 1.4 кВт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
Количество выводов: 7
Альтернативный тип корпуса: M62a
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
Тип корпуса: Half Bridge 2
Способ монтажа: Screw
Тип транзистора:
Current Ic Continuous a Max: 200 А
Current Temperature: 80°C
Fall Time tf: 120 нс
Power Dissipation: 1.4 кВт
Power Dissipation Pd: 1.4 кВт
Pulsed Current Icm: 400 А
Rise Time: 160 нс
Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть