Datasheet BSM50GB120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит

Купить BSM50GB120DN2 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 486 до 25 440 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
AliExpress Весь мир	BSM50GB120DN2 BSM75GB120DN2 BSM50GB120DLC BSM75GB120DLC IGBT Силовой модуль	1 486 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSM50GB120DN2HOSA1 Infineon	2 234 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSM50GB120DN2HOSA1 Infineon	8 800 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	BSM50GB120DN2 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSM 50 GB 120 DN2
IGBT Power Module
· Half-bridge · Including fast free-wheeling diodes · Package with insulated metal base plate
Type BSM 50 GB 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C
VCE

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• DC Collector Current: 78 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Power Dissipation Max: 400 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Альтернативный тип корпуса: M34a
• Тип корпуса: Half Bridge 1
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Current Temperature: 80°C
• Fall Time tf: 100 нс
• Power Dissipation: 400 Вт
• Power Dissipation Pd: 400 Вт
• Pulsed Current Icm: 100 А
• Rise Time: 100 нс
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть