HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet DF650R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP — Даташит

Infineon DF650R17IE4

Наименование модели: DF650R17IE4

13 предложений от 10 поставщиков
1700V PrimePACK2 chopper IGBT module with IGBT4 and NTC. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T(tvj ...
T-electron
Россия и страны СНГ
DF650R17IE4BOSA1
Infineon
29 731 ₽
ЧипСити
Россия
DF650R17IE4BOSA1
Infineon
37 910 ₽
AiPCBA
Весь мир
DF650R17IE4BOSA1
Infineon
40 959 ₽
МосЧип
Россия
DF650R17IE4
Infineon
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF650R17IE4
PrimePACKTM2 Modul und NTC PrimePACKTM2 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

  • Module Configuration: Single
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 650 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
  • Power Dissipation Max: 4.15 кВт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 10

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DF650R17IE4 - Infineon IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 V, 650 A, PRIMEP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России