Datasheet DF900R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А — Даташит

Infineon DF900R12IP4D

Наименование модели: DF900R12IP4D

Купить DF900R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 84 886 до 90 479 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков PrimePACK?„?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr?¶??erer Emitter Controlled 4 Diode
ЧипСити Россия	DF900R12IP4D Infineon	84 886 ₽
AiPCBA Весь мир	DF900R12IP4D Infineon	89 316 ₽
ChipWorker Весь мир	DF900R12IP4D Infineon	90 479 ₽
Acme Chip Весь мир	DF900R12IP4D Infineon	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF900R12IP4D
PrimePACKTM2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grцЯerer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACKTM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode
) * + , -

Спецификации:

Module Configuration: Single
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 900 А
Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 10
Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

DAVICO - D 25-10
TE Connectivity - 0-0160170-0