Datasheet F475R12MS4 - Infineon Даташит IGBT, POW, счетверенный WITH NTC, 1200 В, 75 А — Даташит

Infineon F475R12MS4

Наименование модели: F475R12MS4

Купить F475R12MS4 на РадиоЛоцман.Цены EconoDUAL?„?2 Modul mit schnellem IGBT2 f??r hochfrequentes Schalten und NTC
ЧипСити Россия	F4-75R12MS4 Infineon	3 161 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	F4-75R12MS4	по запросу
TradeElectronics Россия	F4-75R12MS4 Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	F4-75R12MS4	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, POW, счетверенный WITH NTC, 1200 В, 75 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
F4-75R12MS4
EconoDUALTM2 Modul mit schnellem IGBT2 fьr hochfrequentes Schalten und NTC EconoDUALTM2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC
'()* + ' ,( -./ + 0%1 2 ,(34 + % 1 5

Спецификации:

Module Configuration: Quad
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 75 А
Collector Emitter Voltage Vces: 3.2 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 14
Рассеиваемая мощность максимальная: 500 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Infineon - F475R06W1E3