На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet FD1000R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM — Даташит

Infineon FD1000R17IE4

Наименование модели: FD1000R17IE4

8 предложений от 8 поставщиков
1700V PrimePACKTM3 chopper IGBT Module with IGBT4 and NTC.
T-electron
Россия и страны СНГ
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon
41 529 ₽
ЧипСити
Россия
FD1000R17IE4D_B2
Infineon
47 394 ₽
ChipWorker
Весь мир
FD1000R17IE4D_B2
Infineon
50 547 ₽
Acme Chip
Весь мир
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO CHOP, 1700 В, 1000 А, PRIM

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FD1000R17IE4
PrimePACKTM3 Modul und NTC PrimePACKTM3 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

  • Module Configuration: Single
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 1000 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 12
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 6.25 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • DAVICO - D 25-10
  • TE Connectivity - 0-0160170-0

На английском языке: Datasheet FD1000R17IE4 - Infineon IGBT, HI PO CHOP, 1700 V, 1000 A, PRIM

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России