Datasheet FD650R17IE4 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP — Даташит

Infineon FD650R17IE4

Наименование модели: FD650R17IE4

Купить FD650R17IE4 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 141 до 40 379 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A
T-electron Россия и страны СНГ	FD650R17IE4BOSA2 Infineon	34 141 ₽
ЧипСити Россия	FD650R17IE4D_B2 Infineon	37 956 ₽
AiPCBA Весь мир	FD650R17IE4D_B2 Infineon	40 379 ₽
Acme Chip Весь мир	FD650R17IE4BOSA2 Infineon	по запросу

Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700 В, 650 А, PRIMEP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FD650R17IE4
PrimePACKTM2 Modul und NTC PrimePACKTM2 module and NTC
! " # $ %

Спецификации:

Module Configuration: Single
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 650 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
Power Dissipation Max: 4.15 кВт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 10

RoHS: есть