Datasheet FD900R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А — Даташит
Наименование модели: FD900R12IP4D
Купить FD900R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 86 955 до 92 684 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900A, 1.7V, 5.1kW, 1.2kV, Module | |||
| FD900R12IP4D Infineon | 86 955 ₽ | ||
| FD900R12IP4D Infineon | 91 493 ₽ | ||
| FD900R12IP4D Infineon | 92 684 ₽ | ||
| FD900R12IP4D Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 900 А
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
!"#$ !"#$ ( ) * + ,
%% + %
& ' () * & ' *
" "
(-./ 0 1- 234 0 7 8 , 8 9 9 * * 7 , 8
Спецификации:
- Module Configuration: Single
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 900 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 10
- Рассеиваемая мощность максимальная: 5.1 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0
