HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FP10R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM — Даташит

Infineon FP10R12W1T4

Наименование модели: FP10R12W1T4

26 предложений от 16 поставщиков
IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 10A, 3-хфазный, выпрямитель, чоппер, датчик температуры
FP10R12W1T4
Infineon
1 079 ₽
Akcel
Весь мир
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon
от 1 113 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon
2 181 ₽
Элитан
Россия
FP10R12W1T4BOMA1
6 529 ₽
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP10R12W1T4
EasyPIMTM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIMTM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 10 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
  • Power Dissipation Max: 105 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 23

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FP10R12W1T4 - Infineon IGBT, LOW POW, 1200 V, 10 A, EASYPIM

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России