Datasheet FP10R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM — Даташит
Наименование модели: FP10R12W1T4
Купить FP10R12W1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 079 до 7 093 ₽ 26 предложений от 16 поставщиков IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 10A, 3-хфазный, выпрямитель, чоппер, датчик температуры | |||
FP10R12W1T4 Infineon | 1 079 ₽ | ||
FP10R12W1T4BOMA1 Infineon | от 1 113 ₽ | ||
FP10R12W1T4BOMA1 Infineon | 2 181 ₽ | ||
FP10R12W1T4BOMA1 | 6 529 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 10 А, EASYPIM
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP10R12W1T4
EasyPIMTM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIMTM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 10 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Power Dissipation Max: 105 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 23
RoHS: есть