Datasheet FS50R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 600 В, 50 А, EASYPACK — Даташит

Купить FS50R06W1E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 278 до 6 429 ₽ 24 предложений от 14 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V
T-electron Россия и страны СНГ	FS50R06W1E3BOMA1 Infineon	2 278 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FS50R06W1E3 Infineon	2 452 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FS50R06W1E3BOMA1 Infineon	2 946 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	FS50R06W1E3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POWER, 600 В, 50 А, EASYPACK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS50R06W1E3
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
* + , -

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.45 В
• Power Dissipation Max: 205 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 18

RoHS: есть