Datasheet FS50R12W2T4 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 50 А, EASYPACK — Даташит

Купить FS50R12W2T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 303 до 10 048 ₽ 21 предложений от 12 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
Akcel Весь мир	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	от 2 303 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	3 755 ₽	Купить
ЭИК Россия	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	от 9 951 ₽	Купить
Элитан Россия	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	10 048 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 50 А, EASYPACK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS50R12W2T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 18
• Рассеиваемая мощность максимальная: 335 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Infineon - FS50R12W2T4_B11
• Infineon - FS75R12W2T4