Datasheet GA100ABPL12 - Genesic Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 100 А, MODULE — Даташит
Наименование модели: GA100ABPL12
Подробное описание
Производитель: Genesic Semiconductor
Описание: IGBT, 1200 В, 100 А, MODULE
Краткое содержание документа:
Parameter IGBT Collector-Emitter Voltage DC-Collector Current Gate Emitter Peak Voltage Operating Temperature Storage Temperature Insulation Test Voltage Free-wheeling diode DC-Forward Current Repetitive Peak Forward Current Forward Surge Current Thermal Properties Th.
Resistance Junction to Case
Th. Resistance Case to Heat Sink
Symbol VCES ICM VGES Tvj Tstg VISOL IF IFM IFSM RthJC RthCS
Conditions
Values 1200 150 (100) ±20 -40 to +125 -40 to +125 2500 150 (100) tP= 1ms 300 (190) 1000 0.17 0.25 Values
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 100 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1200 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7