Datasheet GA300ABPL12 - Genesic Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 300 А, MODULE — Даташит

Genesic Semiconductor GA300ABPL12

Наименование модели: GA300ABPL12

Купить GA300ABPL12 на РадиоЛоцман.Цены Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Phase Leg IGBT Module
TradeElectronics Россия	GA300ABPL12 Genesic Semiconductor	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Genesic Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 300 А, MODULE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Parameter IGBT Collector-Emitter Voltage DC-Collector Current Gate Emitter Peak Voltage Operating Temperature Storage Temperature Insulation Test Voltage Free-wheeling diode DC-Forward Current Repetitive Peak Forward Current Forward Surge Current Thermal Properties Th.

Resistance Junction to Case
Th. Resistance Case to Heat Sink
Symbol VCES ICM VGES Tvj Tstg VISOL IF IFM IFSM RthJC RthCS
Conditions
Values 1200 450 (300) ±20 -40 to +125 -40 to +125 2500 450 (300) tP= 1ms 900 (600) 2200 0.06 0.03 Values

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 300 А
Collector Emitter Voltage Vces: 1200 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
Корпус транзистора: Module
Количество выводов: 7