Datasheet SMBT2907A - Infineon Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

Infineon SMBT2907A

Наименование модели: SMBT2907A

Купить SMBT2907A на РадиоЛоцман.Цены — от 1.84 до 215 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков PNP Silicon Switching Transistor Low collector-emitter saturation voltage
AiPCBA Весь мир	SMBT2907A E6327 Infineon	1.84 ₽
ChipWorker Весь мир	SMBT2907A E6327 Infineon	1.87 ₽
ЧипСити Россия	SMBT2907A Infineon	58 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	SMBT2907A	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SMBT2907A/MMBT2907A
PNP Silicon Switching Transistor · High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA · Low collector-emitter saturation voltage · Complementary type: SMBT2222A / MMBT2222A (NPN)
3 1
2
Type Marking SMBT2907A/MMBT2907A s2F

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
Частота единичного усиления типовая: 200 МГц
Power Dissipation Pd: 330 мВт
DC Collector Current: 600 мА
Корпус транзистора: SOT-23
Количество выводов: 3
Collector Emitter Voltage Vces: 400 мВ
Ток коллектора постоянный максимальный: 600 мА
DC Current Gain Max: 300
Current Ic @ Vce Sat: 150 мА
Current Ic Continuous a Max: 600 мА
DC Current Gain: 150 мА
Частота единичного усиления минимальная: 200 МГц
DC Current Gain Min: 100
Количество транзисторов: 1
Тип корпуса: SOT-23
Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт
Pulsed Current Icm: 600 мА
SMD Marking: 2F
Способ монтажа: SMD
Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В

RoHS: есть