Datasheet NTE219 - NTE Electronics Даташит Мощность транзистор, PNP, -60 В, TO-3 — Даташит

Купить NTE219 на РадиоЛоцман.Цены — от 295 до 39 183 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
Utmel Весь мир	NTE219	от 295 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE219 NTE Electronics	409 ₽	Купить
ЭИК Россия	NTE219	от 678 ₽	Купить
Akcel Весь мир	NTE219MCP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Мощность транзистор, PNP, -60 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE130 (NPN) & NTE219 (PNP) Silicon Power Transistor Audio Power Amp, Medium Speed Switch
Description: The NTE130 (NPN) and NTE219 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3 type case designed for general purpose switching and amplifier applications.

Features: D DC Current Gain: hFE = 20 ­ 70 @ IC = 4A D Collector­Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.1V (Max) @ IC = 4A D Excellent Safe Operating Area Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V Collector­Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Transition Frequency Typ ft: 2.5 МГц
• Power Dissipation Pd: 115 Вт
• DC Collector Current: 15 А
• DC Current Gain Max (hfe): 70

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K