Datasheet NTE55 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -150 В, TO-220 — Даташит

Купить NTE55 на РадиоЛоцман.Цены — от 403 до 49 398 ₽ 13 предложений от 9 поставщиков Silicon Complementary Transistors High Frequency Driver for Audio Amplifier
AiPCBA Весь мир	NTE55 NTE Electronics	403 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE55 NTE Electronics	420 ₽	Купить
ЭИК Россия	NTE55	от 861 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE55	49 398 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -150 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE54 (NPN) & NTE55 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Frequency Driver for Audio Amplifier
Description: The NTE54 (NPN) and NTE55 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type case designed for use as a high frequency driver in audio amplifier applications.

Features: D DC Current Gain Specified to 4A: hFE = 40 Min @ IC = 3A = 20 MIn @ IC = 4A D Collector­Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 150V Min D High Current Gain­Bandwidth Product: fT = 30MHz Min @ IC = 500mA Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V Collector­Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V Emitter­Base Voltage, VEB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -150 В
• Transition Frequency Typ ft: 30 МГц
• Power Dissipation Pd: 50 Вт
• DC Collector Current: -8 А
• DC Current Gain Max (hfe): 40

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB