HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PDTC115TE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416 — Даташит

NXP PDTC115TE,115

Наименование модели: PDTC115TE,115

13 предложений от 10 поставщиков
Переключающие транзисторы - на основе резисторов NPN W/RES 50V
ЭИК
Россия
PDTC115TE,115
NXP
6.50 ₽
AiPCBA
Весь мир
PDTC115TE,115
NXP
6.76 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PDTC115TE,115
NXP
по запросу
Acme Chip
Весь мир
pdtc115te-115
Philips
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC115T series
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = open
Rev.

04 -- 17 February 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 100
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 5 мА
  • DC Current Gain Min: 100
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC115TE115, PDTC115TE 115

На английском языке: Datasheet PDTC115TE,115 - NXP TRANS NPN W/RES 50 V SOT-416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России