Datasheet PDTA123EE,115 - NXP Даташит TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416 — Даташит
Наименование модели: PDTA123EE,115
Купить PDTA123EE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.46 до 237 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов PNP W/RES 50V | |||
PDTA123EE,115 Nexperia | от 3.46 ₽ | ||
PDTA123EE,115 Nexperia | от 3.46 ₽ | ||
PDTA123EE,115 NXP | 7.54 ₽ | ||
PDTA123EE115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Apr 07 2004 Aug 02
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 30
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -10 мА
- DC Current Gain Min: 30
- Тип корпуса: SOT-416
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PDTA123EE115, PDTA123EE 115