Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet PDTA123EE,115 - NXP Даташит TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416 — Даташит

NXP PDTA123EE,115

Наименование модели: PDTA123EE,115

16 предложений от 10 поставщиков
Переключающие транзисторы - на основе резисторов PNP W/RES 50V
Akcel
Весь мир
PDTA123EE,115
Nexperia
от 3.46 ₽
Utmel
Весь мир
PDTA123EE,115
Nexperia
от 3.46 ₽
ChipWorker
Весь мир
PDTA123EE,115
NXP
7.54 ₽
ТаймЧипс
Россия
PDTA123EE115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Apr 07 2004 Aug 02
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 мВт
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 30
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: -10 мА
  • DC Current Gain Min: 30
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTA123EE115, PDTA123EE 115

На английском языке: Datasheet PDTA123EE,115 - NXP TRANS PNP W/RES 50 V SOT-416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России