Datasheet MJD112G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MJD112G
Купить MJD112G на РадиоЛоцман.Цены — от 6.10 до 142 ₽ 45 предложений от 20 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 2 А, 1.75 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
MJD112G ON Semiconductor | 6.10 ₽ | ||
MJD112G ON Semiconductor | 9.54 ₽ | ||
MJD112G ON Semiconductor | 42 ₽ | ||
MJD112G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, NPN, D-PAK
Краткое содержание документа:
MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) Complementary Darlington Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
Features http://onsemi.com
· Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves · · ·
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Частота единичного усиления типовая: 25 МГц
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- DC Collector Current: 2 А
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
- Complementary Device: MJD117G
- Ток коллектора постоянный максимальный: 2 А
- Current Ic Continuous a Max: 4 А
- DC Current Gain: 2 А
- DC Current Gain Min: 200
- Тип корпуса: D-PAK
- Ток пиковый: 4 А
- Рассеиваемая мощность максимальная: 20 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Обратный ток перехода база-коллектор: 100 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE901