Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet MJD112G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, D-PAK — Даташит

ON Semiconductor MJD112G

Наименование модели: MJD112G

45 предложений от 20 поставщиков
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 2 А, 1.75 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ЗУМ-СМД
Россия
MJD112G
ON Semiconductor
6.10 ₽
MJD112G
ON Semiconductor
9.54 ₽
ChipWorker
Весь мир
MJD112G
ON Semiconductor
42 ₽
MJD112G
ON Semiconductor
по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, D-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) Complementary Darlington Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
Features http://onsemi.com
· Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves · · ·

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • Частота единичного усиления типовая: 25 МГц
  • Power Dissipation Pd: 20 Вт
  • DC Collector Current: 2 А
  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
  • Complementary Device: MJD117G
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 2 А
  • Current Ic Continuous a Max: 4 А
  • DC Current Gain: 2 А
  • DC Current Gain Min: 200
  • Тип корпуса: D-PAK
  • Ток пиковый: 4 А
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 20 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 100 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet MJD112G - ON Semiconductor TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России