Datasheet MMBT5550LT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор — Даташит

Купить MMBT5550LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.69 до 6.99 ₽ 36 предложений от 18 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 140В; 0,6А; 0,225/0,3Вт; SOT23
Стандарт СИЗ Россия	MMBT5550LT1G ON Semiconductor	0.69 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	MMBT5550LT1G ON Semiconductor	1.53 ₽	Купить
Flash-Turtle Весь мир	MMBT5550LT1G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Acme Chip Весь мир	MMBT5550LT1G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBT5550LT1G, MMBT5551LT1G High Voltage Transistors
NPN Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 1 BASE 2 EMITTER
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 140 В
• Рассеиваемая мощность: 225 мВт
• DC Collector Current: 600 мА
• DC Current Gain: 250
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 60 В
• Current Ic Continuous a Max: 60 мА
• DC Current Gain Min: 250
• Тип корпуса: SOT-23
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power Bipolar

RoHS: есть