Datasheet FDG8842CZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, SC70-6 — Даташит
Наименование модели: FDG8842CZ
Купить FDG8842CZ на РадиоЛоцман.Цены — от 6.23 до 1 549 ₽ 24 предложений от 11 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 750 мА, 0.25 Ом, SC-70, Surface Mount | |||
| FDG8842CZ Fujitsu-Siemens | 6.23 ₽ | ||
| FDG8842CZ Fairchild | 11 ₽ | ||
| FDG8842CZ ON Semiconductor | 58 ₽ | ||
| FDG8842CZ ON Semiconductor | 62 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, SC70-6
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
FDG8842CZ Complementary PowerTrench® MOSFET
April 2007
FDG8842CZ
Complementary PowerTrench® MOSFET
Q1:30V,0.75A,0.4; Q2:25V,0.41A,1.1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 750 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 400 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 380 мВт
- Корпус транзистора: SC-70
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Cont Current Id N Channel: 0.75 А
- Cont Current Id P Channel: 410 мА
- Current Id Max: 750 мА
- On State Resistance N Channel Max: 400 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 1.1 Ом
- Тип корпуса: SC-70
- Pulse Current Idm N Channel: 2.2 А
- Pulse Current Idm P Channel: 1.2 А
- SMD Marking: .42
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds N Channel 2: 30 В
- Voltage Vds P Channel 1: 25 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 0.65 В
RoHS: есть
