Datasheet FDS4435 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит
Наименование модели: FDS4435
![]() 69 предложений от 33 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -9,7Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 28Емкость, пФ:... | |||
FDS4435 ON Semiconductor | 1.86 ₽ | ||
FDS4435BZ | от 10 ₽ | ||
FDS4435_NL | по запросу | ||
FDS-4435A | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, SO-8
Краткое содержание документа:
FDS4435
October 2001
FDS4435
30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -25 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -8.8 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 50 А
- SMD Marking: FDS4435
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.7 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -3 В
RoHS: есть