Datasheet FDS4435 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Купить FDS4435 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.93 до 687 ₽ 70 предложений от 35 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -9,7Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 28Емкость, пФ:...
Берёзка Электронные Компоненты Россия	FDS4435BZ	от 8.88 ₽	Купить
Элитан Россия	FDS4435BZ	9.83 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ FDS4435 FAIR Fairchild	38 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FDS4435BZ ON Semiconductor	от 60 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS4435
October 2001
FDS4435
30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 20 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -8.8 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 50 А
• SMD Marking: FDS4435
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.7 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: -3 В

RoHS: есть