Datasheet FDS6612A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, 8-SOIC — Даташит

Купить FDS6612A на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 2 080 ₽ 39 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 8.4 А, 0.019 Ом, SOIC, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	FDS6612A-CUT TAPE Fairchild	29 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FDS6612A ON Semiconductor	30 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDS6612A ON Semiconductor	от 75 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	FDS6612A-NL ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
® ® ® FDS6612A Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench® MOSFET
FDS6612A
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench® MOSFET
General Description
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 22 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 8.4 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1.9 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть