Datasheet FDV304P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, цифровой, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: FDV304P
Купить FDV304P на РадиоЛоцман.Цены — от 0.99 до 138 ₽ 60 предложений от 27 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - FDV304P - Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Surface Mount | |||
FDV304P Fairchild | 0.99 ₽ | ||
FDV304P ON Semiconductor | 1.84 ₽ | ||
FDV304P ONS SOT23 ON Semiconductor | от 8.16 ₽ | ||
FDV304P-F169 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, цифровой, SOT-23
Краткое содержание документа:
August 1997
FDV304P Digital FET, P-Channel
General Description
This P-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery power applications such as notebook computers and cellular phones. This device has excellent on-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 460 мА
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 1.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7 В
- Voltage Vgs Max: -860 мВ
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 460 мА
- Current Temperature: 25°C
- ESD HBM: 6 кВ
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 350 мВт
- Pulse Current Idm: 500 мА
- SMD Marking: 304P
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -860 мВ
- Voltage Vds Typ: -25 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901