Datasheet IPA60R199CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IPA60R199CP
Купить IPA60R199CP на РадиоЛоцман.Цены — от 132 до 356 ₽ 16 предложений от 12 поставщиков CoolMOS Power Transistor_650V,16A,Rds(on)=0.199 Om. Исполнение: TO-220F | |||
IPA60R199CP (6R199P) | от 132 ₽ | ||
IPA60R199CP Infineon | 153 ₽ | ||
IPA60R199CP(6R199P) Infineon | по запросу | ||
IPA60R199CP Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
IPA60R199CP
CoolMOS® Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max@T j= 25°C Q g,typ 650 V
0.199 33 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 199 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 16 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 34 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A