Datasheet IPB041N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB041N04N G

Наименование модели: IPB041N04N G

Купить IPB041N04N G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
Кремний Россия и страны СНГ	IPB041N04NG	по запросу
Utmel Весь мир	IPB041N04NG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPB041N04NG	по запросу
Akcel Весь мир	IPB041N04NG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP041N04N G IPB041N04N G
!"#$%!& 3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 100% Avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPB041N04N G IPP041N04N G
TM

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 80 А
Power Dissipation Pd: 94 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть