Datasheet IPP041N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO220-3 — Даташит
Наименование модели: IPP041N04N G
Купить IPP041N04N G на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 100 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor | |||
IPP041N04NG Infineon | 65 ₽ | ||
IPP041N04NG Infineon | 66 ₽ | ||
IPP041N04NG Infineon | 100 ₽ | ||
IPP041N04NG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO220-3
Краткое содержание документа:
Type
IPP041N04N G IPB041N04N G
!"#$%!& 3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 100% Avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPB041N04N G IPP041N04N G
TM
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 80 А
- Power Dissipation Pd: 94 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть