Datasheet IPP080N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO220-3 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP080N03L G IPB080N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPP080N03L G IPB080N03L G ....
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 8.0 50 V m A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 6.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 50 А
• Power Dissipation Pd: 47 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть