Datasheet IPP12CN10L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 69 А, 100 В, PG-TO220-3 — Даташит

Infineon IPP12CN10L G

Наименование модели: IPP12CN10L G

Купить IPP12CN10L G на РадиоЛоцман.Цены — от 95 до 285 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
AiPCBA Весь мир	IPP12CN10LG Infineon	95 ₽
ChipWorker Весь мир	IPP12CN10LG Infineon	96 ₽
ЗУМ-СМД Россия	IPP12CN10LG Infineon	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IPP12CN10LG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 69 А, 100 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPS12CN10L G IPP12CN10L G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max ID 100 12 69 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPP12CN10L G IPS12CN10L G

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 9.9 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Id Max: 69 А
Power Dissipation Pd: 125 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть