Datasheet IPW60R250CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Infineon IPW60R250CP

Наименование модели: IPW60R250CP

Купить IPW60R250CP на РадиоЛоцман.Цены — от 185 до 412 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
T-electron Россия и страны СНГ	IPW60R250CP Infineon	185 ₽
AiPCBA Весь мир	IPW60R250CP Infineon	288 ₽
Utmel Весь мир	IPW60R250CP Infineon	от 408 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IPW60R250CP - Infineon Technologies Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPW60R250CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max @ Tj = 25°C Q g,typ 650 V
0.250 26 nC

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 12 А
Drain Source Voltage Vds: 650 В
On Resistance Rds(on): 250 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-247
Количество выводов: 3
Current Id Max: 12 А
Тип корпуса: TO-247
Power Dissipation Pd: 104 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 650 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A