Datasheet IRF6717MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор N CH, 25 В 38 А SMD — Даташит
Наименование модели: IRF6717MTR1PBF
Купить IRF6717MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 280 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET | |||
IRF6717MTR1PBF Infineon | от 65 ₽ | ||
IRF6717MTR1PBF Infineon | от 65 ₽ | ||
IRF6717MTR1PBF Infineon | 280 ₽ | ||
IRF6717MTR1PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор N CH, 25 В 38 А SMD
Краткое содержание документа:
PD - 97345A
IRF6717MPbF IRF6717MTRPbF
l RoHs Compliant and Halgen Free l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Ultra Low Package Inductance l Optimized for High Frequency Switching l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for Sync.
FET socket of Sync. Buck Converter l Low Conduction and Switching Losses l Compatible with existing Surface Mount Techniques l100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)
DirectFET Power MOSFET RDS(on) Qgs2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 38 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 1.25 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 96 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: MX
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 220 А
- Тип корпуса: MX
- Pulse Current Idm: 38 А
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть