Datasheet IRF7104PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7104PBF
Купить IRF7104PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 9.99 до 59 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Сдвоенные P-канальный с упр. логи, Rоткр = 0.25 Ом, Id(25°C) = -2.3 A | |||
IRF7104PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8] International Rectifier | 9.99 ₽ | ||
IRF7104PBF Infineon | 21 ₽ | ||
IRF7104PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRF7104PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95254
IRF7104PbF
l l l l l l l l
Adavanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 250 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -3 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -2.3 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Format: 1 S1
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: IRF7104PBF
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01