Datasheet IRF7353D1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, FETKY, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, FETKY, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95251A
IRF7353D1PbF
l l l l l l l
Co-packaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode Ideal For Buck Regulator Applications N-Channel HEXFET Low VF Schottky Rectifier Generation 5 Technology SO-8 Footprint Lead-Free
FETKYд MOSFET / Schottky Diode

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 29 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 6.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Forward Current If(AV): 2.7 А
• Forward Surge Current Ifsm Max: 11 А
• Forward Voltage VF Max: 0.39 В
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 20 Вт
• Pulse Current Idm: 52 А
• SMD Marking: F7353D1
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01