Datasheet IRF7325PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7325PBF

Наименование модели: IRF7325PBF

Купить IRF7325PBF на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7325PBF International Rectifier	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7325PBF	по запросу
Acme Chip Весь мир	IRF7325PBF International Rectifier	по запросу
Utmel Весь мир	IRF7325PBF Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95721
IRF7325PbF
HEXFET® Power MOSFET
Trench Technology Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Low Profile (<1.8mm) Available in Tape & Reel Lead-Free Description
New P-Channel HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: 7.8 А
Drain Source Voltage Vds: 12 В
On Resistance Rds(on): 24 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
Voltage Vgs Max: -900 мВ
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: -7.8 А
Current Temperature: 25°C
External Depth: 5.2 мм
Внешняя длина / высота: 1.75 мм
Внешняя ширина: 4.05 мм
Full Power Rating Temperature: 25°C
Количество транзисторов: 2
Тип корпуса: SOIC
Power Dissipation Pd: 2 Вт
Pulse Current Idm: 39 А
Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
SMD Marking: IRF7325PBF
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
Voltage Vds Typ: -12 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Dow Corning - 2265931
Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
Fischer Elektronik - WLK 5
Roth Elektronik - RE932-01