Datasheet DE275-501N16A - IXYS RF Даташит Полевой транзистор, N, RF, DE275 — Даташит

IXYS RF DE275-501N16A

Наименование модели: DE275-501N16A

Купить DE275-501N16A на РадиоЛоцман.Цены — от 1 801 до 3 349 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, D2, 6 PIN
Стандарт СИЗ Россия	DE275-501N16A IXYS	1 801 ₽
AiPCBA Весь мир	DE275-501N16A IXYS	2 953 ₽
ChipWorker Весь мир	DE275-501N16A IXYS	2 963 ₽
Acme Chip Весь мир	DE275-501N16A	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS RF

Описание: Полевой транзистор, N, RF, DE275

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DE275-501N16A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt PDC PDHS PDAMB RthJC RthJHS Symbol Test Conditions
Tc = 25°C Derate 1.9W/°C above 25°C Tc = 25°C

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 16 А
Drain Source Voltage Vds: 500 В
On State Resistance: 400 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Корпус транзистора: DE-275
Количество выводов: 6
Capacitance Ciss Typ: 1800 пФ
Current Id Max: 16 А
Тип корпуса: DE-275
Power Dissipation Pd: 590 Вт
Rise Time: 2 нс
Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
Voltage Vds Typ: 500 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DE275501N16A, DE275 501N16A