Datasheet DE375-102N12A - IXYS RF Даташит Полевой транзистор, N, RF, DE375 — Даташит

IXYS RF DE375-102N12A

Наименование модели: DE375-102N12A

Купить DE375-102N12A на РадиоЛоцман.Цены — от 1 282 до 1 556 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков Trans MOSFET N-CH 1kV 12A 6Pin(4+2Tab)
ЧипСити Россия	DE375-102N12A IXYS	1 282 ₽
ChipWorker Весь мир	DE375-102N12A IXYS	1 556 ₽
Acme Chip Весь мир	DE375-102N12A	по запросу
ТаймЧипс Россия	DE375-102N12A	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS RF

Описание: Полевой транзистор, N, RF, DE375

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DE375-102N12A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching 50MHz Maximum Frequency
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient Tc = 25°C Tc = 25°C, pulse width limited by TJM Tc = 25°C Tc = 25°C IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS, Tj 150°C, RG = 0.2 IS = 0

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 12 А
Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
On State Resistance: 950 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Корпус транзистора: DE-375
Количество выводов: 6
Capacitance Ciss Typ: 2000 пФ
Current Id Max: 12 А
Тип корпуса: DE-375
Power Dissipation Pd: 940 Вт
Rise Time: 3 нс
Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
Voltage Vds Typ: 1 кВ
Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DE375102N12A, DE375 102N12A