Datasheet DE475-102N21A - IXYS RF Даташит Полевой транзистор, N, RF, DE475 — Даташит

IXYS RF DE475-102N21A

Наименование модели: DE475-102N21A

Купить DE475-102N21A на РадиоЛоцман.Цены — от 4 197 до 5 487 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans RF FET N-CH 1000V 24A 6-Pin
ЧипСити Россия	DE475-102N21A IXYS	4 197 ₽
AiPCBA Весь мир	DE475-102N21A IXYS	4 396 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	DE475-102N21A IXYS	5 487 ₽
Океан Электроники Россия	DE475-102N21A IXYS	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS RF

Описание: Полевой транзистор, N, RF, DE475

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DE475-102N21A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching 30MHz Maximum Frequency
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient Tc = 25°C Tc = 25°C, pulse width limited by TJM Tc = 25°C Tc = 25°C IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS, Tj 150°C, RG = 0.2 IS = 0

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 24 А
Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
On State Resistance: 410 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Корпус транзистора: DE-475
Количество выводов: 6
Capacitance Ciss Typ: 5500 пФ
Current Id Max: 24 А
Тип корпуса: DE-475
Power Dissipation Pd: 1.8 кВт
Rise Time: 5 нс
Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
Voltage Vds Typ: 1 кВ
Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DE475102N21A, DE475 102N21A