Datasheet DE475-501N44A - IXYS RF Даташит Полевой транзистор, N, RF, DE475 — Даташит

IXYS RF DE475-501N44A

Наименование модели: DE475-501N44A

Купить DE475-501N44A на РадиоЛоцман.Цены — от 4 636 до 13 901 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, D5, 6 PIN
AiPCBA Весь мир	DE475-501N44A IXYS	4 636 ₽
ЧипСити Россия	DE475-501N44A IXYS	4 639 ₽
Akcel Весь мир	DE475-501N44A IXYS	от 13 870 ₽
Utmel Весь мир	DE475-501N44A IXYS	от 13 901 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS RF

Описание: Полевой транзистор, N, RF, DE475

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DE475-501N44A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching 30MHz Maximum Frequency
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient Tc = 25°C Tc = 25°C, pulse width limited by TJM Tc = 25°C Tc = 25°C IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS, Tj 150°C, RG = 0.2 IS = 0

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 44 А
Drain Source Voltage Vds: 500 В
On State Resistance: 110 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Корпус транзистора: DE-475
Количество выводов: 6
Capacitance Ciss Typ: 5500 пФ
Current Id Max: 44 А
Тип корпуса: DE-475
Power Dissipation Pd: 1.8 кВт
Rise Time: 5 нс
Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
Voltage Vds Typ: 500 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DE475501N44A, DE475 501N44A