HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IRF350 - Intersil Даташит Полевой транзистор, N TO-3 ((NW)) — Даташит

Intersil IRF350

Наименование модели: IRF350

26 предложений от 18 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
Akcel
Весь мир
IRF350
Infineon
от 725 ₽
Utmel
Весь мир
IRF350
Infineon
от 731 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRF350
Intersil
1 150 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой IRF350
2 439 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Intersil

Описание: Полевой транзистор, N TO-3 ((NW))

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 90339F
REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED V
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
Product Summary
Part Number IRF350 BVDSS 400V RDS(on) 0.300 ID 14A

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 15 А
  • Drain Source Voltage Vds: 400 В
  • On State Resistance: 300 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-3
  • Количество выводов: 2
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: TO-204AA
  • Current Id Max: 15 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Fixing Centres: 30 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Расстояние между выводами: 11 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-3
  • Power Dissipation Pd: 150 Вт
  • Pulse Current Idm: 60 А

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - TF 3 2
  • Multicomp - MK3301/S
  • Multicomp - MK3304

На английском языке: Datasheet IRF350 - Intersil MOSFET, N TO-3 ((NW))

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России