Datasheet BSS192,115 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 240 В 0.2 А SOT89 — Даташит
Наименование модели: BSS192,115
Купить BSS192,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 57 ₽ 42 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 240 В, 200 мА, 12 Ом, SOT-89, Surface Mount | |||
BSS192,115 Nexperia | от 17 ₽ | ||
BSS192,115-CUT TAPE NXP | 22 ₽ | ||
BSS192,115 Nexperia | от 39 ₽ | ||
BSS192,115 Nexperia | от 41 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор P-CH 240 В 0.2 А SOT89
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D109
BSS192 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -200 мА
- Drain Source Voltage Vds: -240 В
- On Resistance Rds(on): 12 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-89
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -200 мА
- Тип корпуса: SOT-89
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -240 В
- Voltage Vgs Max: -2.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSS192115, BSS192 115