Datasheet PMN23UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 20 В 6.3 А SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN23UN,135
Купить PMN23UN,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 1 110 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Compliant Surface Mount 1.7 mm 1 mm 3.1 mm 4.535924 g 14.5 ns Lead Free | |||
| PMN23UN135 NXP | 24 ₽ | ||
| PMN23UN135 NXP | 25 ₽ | ||
| PMN23UN.135 | 1 110 ₽ | ||
| PMN23UN,135 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор N-CH 20 В 6.3 А SOT457
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMN23UN
µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.
01 -- 16 June 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 28 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 6.3 А
- Тип корпуса: SOT-457
- Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMN23UN135, PMN23UN 135
