Datasheet PMR400UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.8 А, SOT416 — Даташит
Наименование модели: PMR400UN,115
Купить PMR400UN,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 1 256 ₽ 13 предложений от 7 поставщиков MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | |||
PMR400UN,115 NXP | 10 ₽ | ||
PMR400UN,115 NXP | 10 ₽ | ||
PMR400UN,115 NXP | от 1 256 ₽ | ||
PMR400UN.115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.8 А, SOT416
Краткое содержание документа:
PMR400UN
N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D173
Rev.
01 -- 3 March 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 480 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 530 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 800 мА
- Тип корпуса: SOT-416
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMR400UN115, PMR400UN 115