HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PSMN2R0-30YL,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669 — Даташит

NXP PSMN2R0-30YL,115

Наименование модели: PSMN2R0-30YL,115

25 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 97Вт; SOT669
ChipWorker
Весь мир
PSMN2R0-30YL115
NXP
40 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN2R0-30YL.115
Nexperia
41 ₽
AiPCBA
Весь мир
PSMN2R0-30YL115
NXP
41 ₽
ЭИК
Россия
PSMN2R0-30YL,115
Nexperia
от 144 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN2R0-30YL
N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.

4 -- 10 March 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1.55 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PSMN2R030YL,115, PSMN2R0 30YL,115, PSMN2R0-30YL115, PSMN2R0-30YL 115

На английском языке: Datasheet PSMN2R0-30YL,115 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 100 A, 4-SOT-669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России