Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PHD108NQ03LT,118 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 25 В 75 А DPAK — Даташит

NXP PHD108NQ03LT,118

Наименование модели: PHD108NQ03LT,118

18 предложений от 12 поставщиков
NXP PHD108NQ03LT,118 MOSFET Transistor, N Channel, 25A, 25V, 0.0053Ω, 10V, 1.5V
AiPCBA
Весь мир
PHD108NQ03LT,118
NXP
29 ₽
ChipWorker
Весь мир
PHD108NQ03LT,118
NXP
29 ₽
Akcel
Весь мир
PHD108NQ03LT,118
NXP
от 1 427 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PHD108NQ03LT.118
2 803 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 25 В 75 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHB108NQ03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 2 February 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 25 А
  • On State Resistance: 6 МОм
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-428
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Тип корпуса: SOT-428
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 25 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PHD108NQ03LT118, PHD108NQ03LT 118

На английском языке: Datasheet PHD108NQ03LT,118 - NXP MOSFET N-CH 25 V 75 A DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России