Datasheet PSMN3R5-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669 — Даташит
Наименование модели: PSMN3R5-30YL
Купить PSMN3R5-30YL на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 189 ₽ 29 предложений от 15 поставщиков TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.00461 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power | |||
PSMN3R5-30YL NXP | от 26 ₽ | ||
PSMN3R5-30YL NXP | от 27 ₽ | ||
PSMN3R5-30YL_09 NXP | по запросу | ||
PSMN3R5-30YL Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669
Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN3R5-30YL
N-channel 30 V 3.5 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.
4 -- 9 March 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 2.43 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 100 А
- On State Resistance Max: 3.5 МОм
- Тип корпуса: SOT-669
- Power Dissipation Pd: 74 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
PSMN3R530YL, PSMN3R5 30YL