Datasheet BUZ906D - Semelab Даташит Полевой транзистор, P, TO-3 — Даташит
Наименование модели: BUZ906D
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | |||
| BUZ906D Siemens | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semelab
Описание: Полевой транзистор, P, TO-3
Скачать Data SheetСпецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 750 МОм
- Voltage Vgs Max: -14 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 2
- Current Id Max: -16 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Voltage Vds Typ: -200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - SK 04/50 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
