Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet STD13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 11 А DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD13NM60N

Наименование модели: STD13NM60N

37 предложений от 19 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,93А; 90Вт; DPAK
AliExpress
Весь мир
STD14NM50N TO-252 14NM50N TO252 STD14NM50 STD10NM60N 10NM60N STD11NM65N 11NM65N STD13NM60N 13NM60N STD60N3LH5 STD70N02L
15 ₽
STD13NM60N
STMicroelectronics
35 ₽
AiPCBA
Весь мир
STD13NM60N
STMicroelectronics
109 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STD13NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 11 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60N STP13NM60N,STW13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmeshTM II Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
Type STB13NM60N STD13NM60N STF13NM60N STP13NM60N STW13NM60N
VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 280 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 11 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 90 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STD13NM60N - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 11 A DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России