ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet STD3NK50Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 500 В 2.3 А IPAK — Даташит

STMicroelectronics STD3NK50Z-1

Наименование модели: STD3NK50Z-1

26 предложений от 15 поставщиков
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
STD3NK50Z-1
STMicroelectronics
7.96 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STD3NK50Z-1
STMicroelectronics
13 ₽
STD3NK50Z-1
STMicroelectronics
от 20 ₽
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
STD3NK50Z-1
STMicroelectronics
27 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 500 В 2.3 А IPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STQ3NK50ZR-AP STD3NK50Z - STD3NK50Z-1
N-CHANNEL 500V - 2.8 - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STQ3NK50ZR-AP STD3NK50Z STD3NK50Z-1
s s s s s s

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.15 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 2.8 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: I-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 2.3 А
  • Тип корпуса: IPAK
  • Power Dissipation Pd: 45 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STD3NK50Z1, STD3NK50Z 1

На английском языке: Datasheet STD3NK50Z-1 - STMicroelectronics MOSFET N CH 500 V 2.3 A IPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России