Datasheet STP11NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP11NM80
Купить STP11NM80 на РадиоЛоцман.Цены — от 315 до 699 ₽ 61 предложений от 26 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 11 А, 0.4 Ом, TO-220, Through Hole | |||
STP11NM80 STMicroelectronics | от 315 ₽ | ||
SPP17N80C3 (ST-STP11NM80) STMicroelectronics | 55 ₽ | ||
STP11NM80 STMicroelectronics | 166 ₽ | ||
STP11NM80 STMicroelectronics | 386 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
STP11NM80 - STF11NM80 STB11NM80 - STW11NM80
N-CHANNEL 800V - 0.35 - 11 A TO-220 /FP/D2PAK/TO-247 MDmeshTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STP11NM80 STF11NM80 STB11NM80 STW11NM80
s s s
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 400 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
- Current Id Max: 11 А
- On State resistance @ Vgs = 10V: 400 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Pulse Current Idm: 44 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 800 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5